HiPIMS中不同脉冲波形制备氧化铌薄膜

用5cm外径的Nb靶材，用HiPIMS，MPPMS和DC电压做对比性公测其他电压模式切换下的查看氧气的进气迟缓回线公测，正确图；

图1，不同制备技术下的氧气迟滞曲线与溅射速率

a）为自测加入纯氧和下降O₂时，不相同主机电源公率变现（工作电压变现）弧度，DC溅射时现实存在分明的滞后这种现象，纯氧新工艺技术观察窗口期极为窄，从废金属态到种毒态也只有1sccm的氧含锌量变现，而MPPMS和HiPIMS加纯氧的新工艺技术观察窗口期极为大，决不能易种毒。

b）NbO溅射浓度与O₂分子量，DC溅击中毒然后，溅射强度从极限虚线变低，而HiPIMS充氧分量对溅射传送速度单位引响不太，沒有凸显台价，相比于MPPMS枝术，其溅射传送速度单位更高一些；

   测试仪有所差异溅射的模式和氧分子量下的，辉光化合物分子量，如图表达2表达：

图2，不一样经营模式下呈现化合物类型的及水平

a）是纯Ar下，不同电源的光谱发生强度测试，HiPIMS状态下，主要为Nb+和Nb₂+离子，而DC溅射，主要为Nb原子。b）在O₂/Ar混固体下，HiPIMS和DC不同之处大致一直，HiPIMS离化率较高；

HiPIMS在制备氧化物时，其O₂进气量的范围更宽，也不容易中毒，工艺窗口更宽。产生这种现象的原因：主要是HiPIMS状态下，产生的高电压，和高峰值电流，从辉光角度，HiPIMS电源下，能获得更多含量的Nb+和氧离子，更容易生产氧化铌。

测评的不同溅射摸式下配制氧化的铌的弯折率如图甲图甲中3图甲中：

图3，差异配制措施下膜层弯折率不同

不同电源制备Nb₂O₅薄膜不同波长的N，k值曲线；用HiPIMS制备的Nb₂O₅的在560nm处n值最高=2.336，而DC的最低为2.309，主要是HiPIMS制备Nb₂O₅的致密度高，膜层质量好，其折射率高。